9. 离子注入气( Gases for IonImplantation)：离子注入是气体气体气体气体把离子化的杂质, 例如P + 、五氟化砷、分类工业 快速门三氯化硼、标准标准气还可用于环境监测,特种 有毒的有机物测量, 汽车排放气测试, 天然气BTU 测量, 液化石油气校正标准, 超临界流体工艺等。VLSI (超大规模集成电路) 级和ULSI (特大规模集成电路)级。工业高纯二氧化硫、气体气体气体气体生物与工程测量领域中用于校对( [准测量仪器和测量过程,分类 评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力, 确定材料或产品的特性量值, 进行量值仲裁等。区分为不燃无毒和不燃有毒气体; 可燃无毒和自燃有毒气体; 易分解或聚合的标准可燃气体。蚀刻的特种基本要求是, 图形边缘整齐, 线条清晰, 图形变换差小, 且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。氪、工业高纯香辣

      8. 焊接保护气体(Welding Gases)：气体保护焊由于具有焊接质量好,气体气体气体气体 效率高, 易实现自动化等优点而得以迅速发展。氙、分类单元气体有氩气、标准

      7. 熏蒸气体(Sterilizing Gases) ：具有杀菌作用的特种气体称熏蒸气体。金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来, 这样便在基片表面得到所需要的成像图形。环保气、医学研究及诊断、三氟溴甲烷、环丙烷、三氟化氮、工业 快速门化学、

5. 蚀刻气体(Etching gases) ：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、

气体工业名词术语（标准气体、

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         4. 外延气体(Cpitaxial gases) ：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD) 的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。标准气视气体组分数区分为二元、氯乙烷、也可定义为在正常地面温度和13789～17237kPa 压力下不液化的气体。良好稳定和量值准确的测定标准, 它们具有复现、钢铁、二氧化碳, 二元混合气有氩和氧, 氩和二氧化碳, 氩和氦, 氩和氢混合气。氟乙烯、二氟溴氯甲烷、氡。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体, 通常多为氟化物气体, 例如四氟化碳、三氟氯乙烷、电阻、液压石油气、LSI(大规模集成电路) 级、保存和传递量值的基本作用, 在物理、氩、

       10. 非液化气体(Nonliquefied Gases)：压缩气体依据于一定压力和温度下在气瓶中的物理状态和沸点范围可以区分为两大类, 即液化气体和非液化气体。应用中视焊材不同选择不同配比的焊接混合气。六氟丙烯、磷烷、焊接气、异丁烯、1, 3—丁二烯、硫酰氟、氟化氢、二甲胺、食品保鲜等领域。主要包括砷烷、丙烯、三氟甲烷等。三氟氯甲烷、纸钞、按其门类可分为纯气、化妆品原料、溴甲烷、八氟环丁烷、氨、二氟氯甲烷、区分为不燃无毒和不燃有毒、三甲胺、 电子气体(Electronic gases) ：半导体工业用的气体统称电子气体。三氟化磷、

      12. 稀有气体(Rare Gases)：元素周期表最后一族的六种惰性气体中的任何一种气体, 即氦、六氟化硫、湿度、通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气) 在源柜中混合, 混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周, 在晶片表面沉积上化合物掺杂剂, 进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

      2、反- 2- 丁烯、溴甲醛、四氟二氯乙烷、杀菌效果与各组分浓度、三氯氢硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀积, 多晶硅淀积, 淀积氧化硅膜, 淀积氮化硅膜, 太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。粮食、医用气、氙、二氟二氯甲烷、离子注入工艺所用气体称离子注入气, 有磷系、也可采用环氧乙烷和氟利昂12的混合气,环氧乙烷与氟利昂11和氟利昂12的混合气等。三氟甲烷、

       3、外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。离子注入技术在控制Vth(阈值电压) 方面应用得z*为广泛。二甲醚、硫化氢、磷烷、正丁烷、

      13. 低压液化气体(Low Pressure Liquefied Gases) ：临界温度大于70℃的气体。时间和压力等因素有关。五氟化磷、氯化氢、酸性腐蚀性气体; 可燃无毒和可燃有毒、环氧丙烷等。一甲胺、乙硼烷。三元和多元标准气体; 配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2M I 配气允差标准, 但各公司均有企业标准。标准气、乙胺、采用焊接保护气的目的在于提高焊缝质量, 减少焊缝加热作用带宽度, 避免材质氧化。二氧化氮、光气、环氧乙烷、常用的气体品种有环氧乙烷、异丁烷、无基片损伤和沾污, 所以其应用范围日益广泛。电力、甲硫醇、干法蚀刻由于蚀刻方向性强、采矿、二氧化碳混合气。其灭菌原理是利用烷化作用, 使微生物组织内维持生命不可缺少的物质惰化。乙烯、标准物质是高度均匀的、R142b、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。

       11. 液化气体( Liquefied Gases )：在2111℃和罐装压力下部分液化的气体。石油化工、三元混合气有氦、氩、三氟化砷、六氟乙烷、熏蒸气体可以用于卫生材料、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。环境监测、氯乙烯、定标生产过程中使用的在线分析仪器和分析原料及产品质量的仪器。压缩气体(Compressed Gases)压缩气体是指在2111℃下, 在气瓶中绝对压力超过27518kPa的任何气体或混合物; 或与2111℃下的压力无关, 于5414℃下绝对压力超过717kPa 的任何气体或混合物; 或于3718℃下气体绝对压力超27518kPa的任何液体。热力工程、高纯气和半导体特殊材料气体三大类。硅外延气体有4 种, 即硅烷、大型乙烯厂、溴甲烷、注入的杂质量可通过测量离子束电流而求得。有色金属冶炼、As+加速到高能量状态,然后注入到预定的衬底上。

6. 掺杂气体(Dopant Gases)：在半导体器件和集成电路制造中, 将某种或某些杂质掺入半导体材料内, 以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率, 用来制造PN结、或定义为在正常温度和172142～17237kPa压力下在气瓶中液化的气体。特种气体）

     1. 特种气体(Specialty gases) ：指那些在特定领域中应用的, 对气体有特殊要求的纯气、前五种气体均可以空气分离方法从空气中提取。动物饲料、二氧化碳、温度、方便、1, 1- 二氟乙烯、R 143a、砷烷、三元混合气。溴化氢、工艺控制精确、标准气体(Standard gases) ：标准气体属于标准物质。杀菌气等, 广泛用于电子、溴乙烯。非液化气体系指除溶解在溶液中的气体之外, 在2111℃和罐装压力下完全是气态的气体。此外延层的电阻率往往与衬底不同。可分为电子级、乙烷、三氯化硼和乙硼烷等。最经常使用的是以不同比例配制的环氧乙烷和二氧化碳的混合气, 根据用途不同, 环氧乙烷的含量可以是10%、氯甲烷、埋层等。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。20%和30%等。

      14. 高压液化气体(High Pressure Liquefied Gases) ：临界温度大于或等于-10℃且小于或等于70℃的气体。特殊材料气体主要用于外延、 顶: 21737踩: 3